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厂商型号

MRF6S24140HSR3 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 68V 3-Pin NI-880S T/R

内部编号

146-MRF6S24140HSR3

#1

数量:0
最小起订量:1
美国加州
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MRF6S24140HSR3产品详细规格

规格书 MRF6S24140HSR3 datasheet 规格书
MRF6S24140HSR3 datasheet 规格书
MRF6S24140HSR3 datasheet 规格书
标准包装 250
晶体管类型 LDMOS
频率 2.39GHz
增益 15.2dB
电压 - Test 28V
当前 Rating 10µA
噪声系数 -
当前 - Test 1.3A
Power - 输出功率 28W
电压 - 额定 68V
包/盒 NI-880S
供应商器件封装 NI-880S
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3NI-880S
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 68 V
最大门源电压 -0.5|12 V
工作温度 -65 to 200 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
供应商封装形式 NI-880S
标准包装名称 NI-880S
最大频率 2450
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 200
输出功率 140
Typical Drain Efficiency 25
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
典型功率增益 15.2
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -65
最大漏源电压 68
引脚数 3
晶体管类型 LDMOS
电压 - 额定 68V
供应商设备封装 NI-880S
电压 - 测试 28V
频率 2.39GHz
增益 15.2dB
封装/外壳 NI-880S
电流 - 测试 1.3A
额定电流 10µA
功率 - 输出 28W
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 250
产品种类 Transistors RF MOSFET
晶体管极性 N-Channel
最低工作温度 - 65 C
源极击穿电压 - 0.5 V, 12 V
系列 MRF6S24140H
单位重量 0.238367 oz
安装风格 SMD/SMT
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 68 V
RoHS RoHS Compliant

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